化合物半导体产业发展机遇GaN、SiC、InP——这五种材料都在这里 | 珠海高新区厂房土地租售
GaN、SiC、InP——这五种材料都在这里
以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的化合物半导体，
突破了这一瓶颈，
成为5G基站、新能源汽车、快速充电、激光雷达等高端应用的核心基础材料。
据赛迪顾问预测，到2026年，
中国化合物半导体市场规模将超过700亿元，
GaN和SiC器件是其中增速蕞快的两大细分市场。
珠海高新区是其中之一：
应用于5G基站功放、氮化镓充电器，
高新区相关企业技术达国际领先水平。
光伏逆变器功率模块核心材料，
覆盖新能源汽车800V高压平台应用场景。
毫米波通信器件核心基底材料。
卫星通信射频前端器件，
光模块技术达国际先进水平。
应用于安防、医疗、军事红外传感等领域。
形成化合物半导体"材料—设备—设计—制造—封测—应用"完整产业链：
华芯微电子（GaAs/InP外延片）、英诺赛科（氮化硅器件）、
硅酷科技（SiC基底材料）、恒格微电子（GaN功率芯片）等。
而是与多个主导产业形成紧密协同：
新能源方面：SiC功率模块直接服务新能源车主驱和充电桩；
人工智能方面：高性能计算加速卡需要InP高速光互连器件；
人形机器人方面：关节驱动功率板依赖GaN高效功率转换器件。
孤立的芯片设计公司找不到配套的衬底供应商，
就是事倍功半。
珠海高新区"五料俱全"的独特优势，
让您在这里就能找到GaN外延片、SiC基底、磷化铟衬底的供应商，
以及封装测试、应用开发的合作伙伴。
这种产业链集聚，是其他园区很难复制的核心竞争力。
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中国半导体行业协会：https://www.csia.net.cn
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